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【分析事例】SiON極薄膜中の成分深さ方向分析

TOF-SIMSで無機物の分子情報を深さ方向に捉えることが可能

Siトランジスタのゲート酸化膜として用いられているSiON膜はリーク電流を抑えるため、Si酸化膜にNを導入して形成されます。基板との界面特性を良好にしながら誘電率を確保するには、SiON膜中のNの分布を厳密に制御する必要があります。1nm膜厚のSiON膜中でのSi酸化物・窒化物の分布をTOF-SIMSを用いて評価した事例をご紹介します。TOF-SIMSは表面で高い深さ方向分解能を持ち、感度良く分子情報を得ることができるため、SiON極薄膜中の組成分布を明瞭に得ることができます。

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基本情報

測定法:TOF-SIMS 製品分野:LSI・メモリ 分析目的:化学結合状態評価・組成分布評価

価格帯

納期

用途/実績例

LSI・メモリの分析です。

【分析事例】SiON極薄膜中の成分深さ方向分析_C0264

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