【分析事例】Cu上のSMIとTMAの競合吸着解析_C0743
着目の成膜パラメータ（温度、圧力）にて多分子競合吸着性の評価が可能です
領域選択的原子層堆積（AS-ALD）において、小分子阻害剤（SMI）は基板表面でのプリカーサ吸着の表面選択性を制御します。SMIは、基板の非成長表面への不要な堆積を防止し、成膜プロセス中の薄膜形成に重要な役割を果たします。本事例ではGCMC（グランドカノニカルモンテカルロ）法を用いて、Cu(111)表面におけるSMI（アニリン、ピリジン）とTMA（トリメチルアルミニウム）の単分子および2分子種の競合吸着量の予測をしました。本解析は、分子の立体効果まで含めた吸着特性の評価に有効です。
基本情報
測定法：計算科学・AI・データ解析 製品分野：パワーデバイス・LSI・メモリ・製造装置・部品 分析目的：不純物評価・分布評価
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用途／実績例
パワーデバイス・LSI・メモリ・製造装置・部品の分析です。
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