［SSRM］走査型広がり抵抗顕微鏡法
ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能
基本情報
■広がり抵抗とは 試料にバイアス電圧を加えて、探針直下に存在するキャリアを探針に流入させ、その電流を対数アンプで増幅して、抵抗値として計測します。このとき、印加したバイアス電圧は、探針の直下で急激に減衰します。そのため、探針に流入できるキャリアは、探針の極近傍に存在するものに限られ、これを抵抗値として検出することになります。このような局所的な抵抗を広がり抵抗と呼びます。 ■ダイヤモンドコート探針 SSRM では、主に、ダイヤモンドコートされたシリコン製の探針を用います。この先端は数十nm 程度まで先鋭化されており、特に尖りの部分は数nmの鋭利さを持ちます。SSRMはこの微細な探針の直下のキャリアを検出するため、高分解能の計測が可能です。
価格情報
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納期
用途／実績例
・局所抵抗測定 シリコン半導体素子（MOSFET）の拡散層形状評価 化合物半導体素子（LED・レーザー素子・パワーMOSFET)の拡散層形状評価 化合物太陽電池, リチウムイオン二次電池の抵抗分布評価 絶縁膜のリークスポット計測
詳細情報
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