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【分析事例】高電子移動度トランジスタの評価

Csコレクタ付STEMにより結晶整合性および組成分布の評価が可能

GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層が得られ、電子移動度が高くなります。 本資料では、市販のGaN HEMTデバイスを解体し評価した事例をご紹介します。 HAADF-STEMにより、AlGaN/GaN界面近傍の結晶整合性を確認しました。また、EELSにより組成分布の評価を行いました。 測定法:TEM・EELS 製品分野:パワーデバイス 分析目的:構造評価・膜厚評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。

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パワーデバイスの分析です

【分析事例】高電子移動度トランジスタの評価_C0410

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