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【分析事例】酸化ガリウムGa2O3膜表面近傍の金属元素濃度評価

極浅い領域でも高感度に分析

酸化ガリウムGa2O3は、SiCやGaNよりもバンドギャップが広く、優れた物性を有することから、高効率・低コストが期待できるパワーデバイス材料として注目を集めています。ウエハの開発には、特性を左右する不純物濃度の制御が重要です。本資料ではGa2O3膜の表面近傍について、金属元素の定量分析を行った事例を示します。 TOF-SIMSでは極浅い領域でも高感度に評価が可能です。

関連リンク - https://www.mst.or.jp/casestudy/tabid/1318/pdid/34…

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酸化物半導体・パワーデバイスの分析です

【分析事例】酸化ガリウムGa2O3膜表面近傍の金属元素濃度評価_C0440

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